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IXTH11P50

Name: IXYS IXTH11P50
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH11P50
Price: 13.67 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXTH11P50

Fabr. N.º:

IXTH11P50

Fabr.:

IXYS

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Pedido:: 630

Fecha prevista: 27/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 54

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	500 V
Id: corriente de drenaje continuo:	11 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	750 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	130 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	300 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	35 ns
Transconductancia delantera: mín.:	5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	27 ns
Serie:	IXTH11P50
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	33 ns
Peso unitario:	6 g