IXSH65N120L2KHV

IXYS
747-IXSH65N120L2KHV
IXSH65N120L2KHV

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 100

Existencias:
100
Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
450
Fecha prevista: 02/06/2026
Plazo de producción de fábrica:
27
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
8,62 € 8,62 €
6,54 € 65,40 €
5,44 € 544,00 €
4,85 € 2.182,50 €
4,33 € 3.897,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
65 A
52 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
110 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10.5 ns
Empaquetado: Tube
Producto: MOSFETs
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 22.1 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 19.3 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 9.6 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).