IXFX21N100Q

IXYS
747-IXFX21N100Q
IXFX21N100Q

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
Mínimo: 300   Múltiples: 30
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
24,82 € 7.446,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
21 A
500 mOhms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 12 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 18 ns
Serie: IXFX21N100
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 60 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 21 ns
Peso unitario: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.