Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

IXFX100N25

Name: IXYS IXFX100N25
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX100N25
Price: 12.73 EUR
Availability: Discontinued

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

747-IXFX100N25

Fabr. N.º:

IXFX100N25

Fabr.:

IXYS

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: Solicitar entrega estimada

Introducir cantidad:

Mínimo: 30 Múltiples: 30

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	250 V
Id: corriente de drenaje continuo:	100 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	27 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	560 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HyperFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	40 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	55 ns
Serie:	HiPerFET
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	110 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	42 ns
Peso unitario:	6 g