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IXFT36N60P

Name: IXYS IXFT36N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT36N60P
Price: 9.58 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXFT36N60P

Fabr. N.º:

IXFT36N60P

Fabr.:

IXYS

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	36 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	190 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	102 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	650 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	22 ns
Transconductancia delantera: mín.:	25 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Serie:	IXFT36N60
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	80 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns
Peso unitario:	4,500 g