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IXFT340N075T2

Name: IXYS IXFT340N075T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT340N075T2
Price: 15.26 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFT340N075T2

Fabr. N.º:

IXFT340N075T2

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

Hoja de datos:

IXFT340N075T2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 510

Fecha prevista: 13/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 32

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	15,26 €	15,26 €
	11,62 €	116,20 €
	9,68 €	1.161,60 €
	8,52 €	4.345,20 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	75 V
Id: corriente de drenaje continuo:	340 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	300 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	935 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	35 ns
Transconductancia delantera: mín.:	65 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	50 ns
Serie:	IXFT340N075
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	60 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	26 ns
Peso unitario:	6,500 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

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IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.