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IXFT20N80P

Name: IXYS IXFT20N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT20N80P
Price: 8.75 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXFT20N80P

Fabr. N.º:

IXFT20N80P

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds

Hoja de datos:

IXFT20N80P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	5,99 €	59,90 €
	4,93 €	591,60 €
	4,39 €	2.238,90 €
	4,10 €	4.182,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-268-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	520 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	86 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	24 ns
Transconductancia delantera: mín.:	14 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Serie:	IXFT20N80
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	85 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns
Peso unitario:	4,500 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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