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IXFT120N15P

Name: IXYS IXFT120N15P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT120N15P
Price: 10.77 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFT120N15P

Fabr. N.º:

IXFT120N15P

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds

Hoja de datos:

IXFT120N15P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	120 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	16 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	600 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	26 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	42 ns
Serie:	IXFT120N15
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	85 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	33 ns
Peso unitario:	4,500 g

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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