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IXFR58N20

Name: IXYS IXFR58N20
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFR58N20
Price: 14.35 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXFR58N20

Fabr. N.º:

IXFR58N20

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET HiPerFET Power MOSFET

Hoja de datos:

IXFR58N20 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	14,35 €	14,35 €
	10,94 €	109,40 €
	9,11 €	1.093,20 €
	8,12 €	4.141,20 €
	7,59 €	7.741,80 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	200 V
Id: corriente de drenaje continuo:	50 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	40 mOhms
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IXFR58N20
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	6 g

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Hoja de datos

IXFR58N20 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541900080
JPHTS:: 8542900006
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: No disponible
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.