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IXFR48N60Q3

Name: IXYS IXFR48N60Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFR48N60Q3
Price: 24.33 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXFR48N60Q3

Fabr. N.º:

IXFR48N60Q3

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A

Hoja de datos:

IXFR48N60Q3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	24,33 €	7.299,00 €
510	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	32 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	154 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Qg (carga de compuertas):	140 nC
Pd (disipación de potencia):	500 W
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	300 ns
Serie:	IXFR48N60
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	6 g

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ECCN:: EAR99

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Q3-Class HiperFET™ Power MOSFETs

IXYS Q3-Class HiperFET™ Power MOSFETs provide the end-user with a broad range of devices with exceptional power-switching performance. They also offer excellent thermal characteristics, enhanced device ruggedness, and high energy efficiency. These MOSFETs come with drain-to-source voltage ratings of 200V to 1000V and drain current ratings of 10A to 100A. These features make the Q3-Class an optimized combination of low on-state resistance (R_dson) and gate charge (Q_g), substantially reducing the device's conduction and switching loss. Power switching capabilities and device ruggedness are further enhanced by utilizing the HiperFET process. This process yields a device with a fast intrinsic rectifier, which provides for a low reverse recovery charge (Q_rr) while enhancing the device's commutating dv/dt ratings (up to 50V/ns).

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .