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IXFP8N85XM

Name: IXYS IXFP8N85XM
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP8N85XM
Price: 4.76 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXFP8N85XM

Fabr. N.º:

IXFP8N85XM

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET TO220 850V 8A N-CH XCLASS

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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	3,02 €	30,20 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	850 V
Id: corriente de drenaje continuo:	8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	850 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	17 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	33 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	23 ns
Transconductancia delantera: mín.:	2.7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	32 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Peso unitario:	2 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

X-Class 850V - 1000V Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X-Class 850V-1000V Power MOSFETs with HiPerFET™ with fast body diodes are rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry. This enables a very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dt performance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these ultra-junction MOSFETs help reduce switching losses and Electromagnetic Interference (EMI).

X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low R_DS(ON) and Q_Gwith a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

Off-Board Charger Sub-Unit Power Converters

Littelfuse Off-Board Charger Sub-Unit Power Converters are required for DC charging stations capable of charging to 80% SOC in under 30 minutes. These fast-charging applications require modular power converters, which can be paralleled to cater to different power levels, thereby enabling fast charging. The most critical parameters are energy density and system efficiency. A sub-unit power converter in a DC charging station consists of an AC/DC power stage and DC/DC power stage integrated into the charging station.

Off-Highway Electric Vehicle Solutions

Littelfuse provides a wide range of solutions for off-highway electric vehicles. These electric vehicles share a similar architecture and have a power range from 48V to 400V. Off-highway electric vehicles include electric forklifts, golf carts, three-wheelers, tow tractors, compactors, and excavators.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.