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IXFP4N100P

Name: IXYS IXFP4N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP4N100P
Price: 4.42 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXFP4N100P

Fabr. N.º:

IXFP4N100P

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 4 Amps 1000V

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.3 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	6 V
Qg (carga de compuertas):	26 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	50 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	36 ns
Serie:	IXFP4N100
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	37 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns
Peso unitario:	2 g

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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