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IXFN82N60Q3

Name: IXYS IXFN82N60Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN82N60Q3
Price: 68.5 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFN82N60Q3

Fabr. N.º:

IXFN82N60Q3

Fabr.:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A

Hoja de datos:

IXFN82N60Q3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	59,50 €	595,00 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	66 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	75 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, + 30 V
Pd (disipación de potencia):	960 W
Serie:	IXFN82N60
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	300 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Peso unitario:	30 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Q3-Class HiperFET™ Power MOSFETs

IXYS Q3-Class HiperFET™ Power MOSFETs provide the end-user with a broad range of devices with exceptional power-switching performance. They also offer excellent thermal characteristics, enhanced device ruggedness, and high energy efficiency. These MOSFETs come with drain-to-source voltage ratings of 200V to 1000V and drain current ratings of 10A to 100A. These features make the Q3-Class an optimized combination of low on-state resistance (R_dson) and gate charge (Q_g), substantially reducing the device's conduction and switching loss. Power switching capabilities and device ruggedness are further enhanced by utilizing the HiperFET process. This process yields a device with a fast intrinsic rectifier, which provides for a low reverse recovery charge (Q_rr) while enhancing the device's commutating dv/dt ratings (up to 50V/ns).