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IXFN60N80P

Name: IXYS IXFN60N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN60N80P
Price: 50.41 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXFN60N80P

Fabr. N.º:

IXFN60N80P

Fabr.:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET DIODE Id54 BVdass800

Hoja de datos:

IXFN60N80P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 289

Fecha prevista: 02/09/2026

1.290

310

Fecha prevista: 07/09/2026

310

Fecha prevista: 28/09/2026

670

Fecha prevista: 18/01/2027
Plazo de producción de fábrica:: 27

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	50,41 €	50,41 €
	42,99 €	429,90 €
	37,49 €	3.749,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	53 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	140 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, + 30 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.04 mW
Serie:	IXFN60N80
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	26 ns
Altura:	9.6 mm
Longitud:	38.23 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	29 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	110 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	36 ns
Anchura:	25.42 mm
Peso unitario:	30 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504901900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.