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IXFN56N90P

Name: IXYS IXFN56N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN56N90P
Price: 67.14 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFN56N90P

Fabr. N.º:

IXFN56N90P

Fabr.:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 900V 56A

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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	67,14 €	67,14 €
	55,47 €	554,70 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	900 V
Id: corriente de drenaje continuo:	56 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	135 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, + 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	6.5 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1 kW
Serie:	IXFN56N90
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	38 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	80 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	93 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	74 ns
Peso unitario:	30 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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