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IXFN48N60P

Name: IXYS IXFN48N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN48N60P
Price: 27.43 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFN48N60P

Fabr. N.º:

IXFN48N60P

Fabr.:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET 600V 48A

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Pedido:: 1.380

Fecha prevista: 06/05/2026
Plazo de producción de fábrica:: 27

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	27,43 €	27,43 €
	22,44 €	224,40 €
	19,57 €	1.957,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	140 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, + 30 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	625 W
Serie:	IXFN48N60
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	22 ns
Altura:	9.6 mm
Longitud:	38.23 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	85 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns
Anchura:	25.42 mm
Peso unitario:	30 g

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.