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IXFN360N10T

Name: IXYS IXFN360N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN360N10T
Price: 24.56 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXFN360N10T

Fabr. N.º:

IXFN360N10T

Fabr.:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET 360 Amps 100V

Hoja de datos:

IXFN360N10T Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 440

Fecha prevista: 04/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 23

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	24,56 €	24,56 €
	18,93 €	189,30 €
	18,45 €	1.845,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	360 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	830 W
Serie:	IXFN360N10
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	160 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	100 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	80 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	47 ns
Peso unitario:	30 g

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504901900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.