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IXFN200N10P

Name: IXYS IXFN200N10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN200N10P
Price: 24.86 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFN200N10P

Fabr. N.º:

IXFN200N10P

Fabr.:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds

Hoja de datos:

IXFN200N10P Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	200 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	680 W
Serie:	IXFN200N10
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	90 ns
Altura:	9.6 mm
Longitud:	38.23 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	35 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	150 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns
Anchura:	25.42 mm
Peso unitario:	30 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.