Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

IXFN180N25T

Name: IXYS IXFN180N25T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN180N25T
Price: 25.9 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

747-IXFN180N25T

Fabr. N.º:

IXFN180N25T

Fabr.:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET 155A 250V

Hoja de datos:

IXFN180N25T Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre IXYS IXFN180N25T

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 300

Fecha prevista: 30/09/2026
Plazo de producción de fábrica:: 23

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	25,90 €	25,90 €
	19,72 €	197,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	250 V
Id: corriente de drenaje continuo:	168 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	12.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	900 W
Serie:	IXFN180N25
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	20 ns
Altura:	12.22 mm
Longitud:	38.23 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	52 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	GigaMOS Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	88 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	35 ns
Anchura:	25.42 mm
Peso unitario:	30 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IXFN180N25T Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.