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IXFN180N25T

Name: IXYS IXFN180N25T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN180N25T
Price: 31.88 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXFN180N25T

Fabr. N.º:

IXFN180N25T

Fabr.:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET 155A 250V

Hoja de datos:

IXFN180N25T Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 300

Fecha prevista: 04/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 23

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	31,88 €	31,88 €
	26,01 €	260,10 €
	22,97 €	2.297,00 €
	22,69 €	11.345,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	250 V
Id: corriente de drenaje continuo:	168 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	12.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	900 W
Serie:	IXFN180N25
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	20 ns
Altura:	12.22 mm
Longitud:	38.23 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	52 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	GigaMOS Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	88 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	35 ns
Anchura:	25.42 mm
Peso unitario:	30 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.