IXFN150N10

IXYS
747-IXFN150N10
IXFN150N10

Fabr.:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos 150 Amps 100V

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
Mínimo: 300   Múltiples: 10
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
29,76 € 8.928,00 €
500 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
Si
- 20 V, + 20 V
Screw Mount
SOT-227-4
- 55 C
+ 150 C
HiPerFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 60 ns
Id: corriente de drenaje continuo: 150 A
Pd (disipación de potencia): 520 W
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 12 mOhms
Tiempo de establecimiento: 60 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 10
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Polaridad de transistor: N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 100 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 30 ns
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 100 V
Peso unitario: 30 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
No disponible
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.