IXFK88N20Q

IXYS
747-IXFK88N20Q
IXFK88N20Q

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 88 Amps 200V 0.028W Rds

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
Mínimo: 25   Múltiples: 25
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
10,94 € 273,50 €
9,11 € 911,00 €
8,12 € 4.060,00 €
7,59 € 7.590,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
30 mOhms
- 30 V, 30 V
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 20 ns
Serie: IXFK88N20
Cantidad del paquete de fábrica: 25
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 61 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 18 ns
Peso unitario: 10 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
No disponible
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.