IXFK38N80Q2

Name: IXYS IXFK38N80Q2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK38N80Q2
Price: 28.2 EUR
Availability: Discontinued

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Mouser REF:

747-IXFK38N80Q2

Fabr. N.º:

IXFK38N80Q2

Fabr.:

IXYS

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-264-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	38 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	220 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	735 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	16 ns
Serie:	IXFK38N80
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	60 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	20 ns
Peso unitario:	10 g