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IXFH36N60P

Name: IXYS IXFH36N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH36N60P
Price: 14.38 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFH36N60P

Fabr. N.º:

IXFH36N60P

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 600V 36A

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	14,38 €	14,38 €
	10,96 €	109,60 €
	9,12 €	1.094,40 €
	8,13 €	4.146,30 €
	7,70 €	7.854,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	36 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	190 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	102 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	650 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	22 ns
Transconductancia delantera: mín.:	39 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Serie:	IXFH36N60
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	80 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns
Peso unitario:	6 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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