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IXFH36N55Q2

Name: IXYS IXFH36N55Q2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH36N55Q2
Price: 12.46 EUR
Availability: Discontinued

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Mouser REF:

747-IXFH36N55Q2

Fabr. N.º:

IXFH36N55Q2

Fabr.:

IXYS

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	550 V
Id: corriente de drenaje continuo:	36 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	180 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	560 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HyperFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	13 ns
Serie:	IXFH36N55
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	42 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Peso unitario:	6 g