IXFH26N50P

IXYS
747-IXFH26N50P
IXFH26N50P

Fabr.:

Descripción:
MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500

Modelo ECAD:
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En existencias: 3.410

Existencias:
3.410 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
9,40 € 9,40 €
6,65 € 66,50 €
5,53 € 663,60 €
4,93 € 2.514,30 €
4,88 € 4.977,60 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
500 V
26 A
230 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
60 nC
- 55 C
+ 150 C
400 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 20 ns
Transconductancia delantera: mín.: 26 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 25 ns
Serie: HiPerFET
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 58 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 20 ns
Peso unitario: 6 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99