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IXFH170N15X3

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Mouser REF:

747-IXFH170N15X3

Fabr. N.º:

IXFH170N15X3

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

IXFH170N15X3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	170 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	6.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	122 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	520 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia delantera: mín.:	54 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	30 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	90 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns
Peso unitario:	6 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

X-Class 850V - 1000V Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X-Class 850V-1000V Power MOSFETs with HiPerFET™ with fast body diodes are rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry. This enables a very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dt performance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these ultra-junction MOSFETs help reduce switching losses and Electromagnetic Interference (EMI).