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IXFH10N80P

Name: IXYS IXFH10N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH10N80P
Price: 7.22 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFH10N80P

Fabr. N.º:

IXFH10N80P

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds

Hoja de datos:

IXFH10N80P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	10 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.1 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.5 V
Qg (carga de compuertas):	40 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	22 ns
Transconductancia delantera: mín.:	7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Serie:	IXFH10N80P
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	62 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	21 ns
Peso unitario:	6 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: República de Corea
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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