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IXFB210N30P3

Name: IXYS IXFB210N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFB210N30P3
Price: 32.91 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFB210N30P3

Fabr. N.º:

IXFB210N30P3

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Hoja de datos:

IXFB210N30P3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Plazo de producción de fábrica:: 22

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	32,91 €	32,91 €
	26,86 €	268,60 €
	23,72 €	2.372,00 €
	23,41 €	11.705,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	PLUS-264-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	300 V
Id: corriente de drenaje continuo:	210 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	14.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	268 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.89 kW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	60 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Serie:	IXFB210N30
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	94 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	46 ns
Peso unitario:	1,600 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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Commercial & Tactical UAV Systems

Littelfuse Commercial and Tactical UAV Systems offer solutions for Li-Ion battery protection, battery chargers, and power distribution. These systems provide fuses for input protection/overcurrent protection, MOSFETs for semiconductor switching, and TVS diodes for DC output transient/surge protection. The commercial and tactical UAV systems offer battery protection >60V and provide main-pack fault isolation, battery disconnect/power path control (pre-charge support), and branch circuit overcurrent protection. Typical applications include ISR, military, border surveillance, agriculture, delivery/logistics, inspection, and public safety.

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IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.