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IXFA4N100Q

Name: IXYS IXFA4N100Q
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA4N100Q
Price: 8.24 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFA4N100Q

Fabr. N.º:

IXFA4N100Q

Fabr.:

IXYS

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	39 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HyperFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Serie:	IXFA4N100
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	32 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Peso unitario:	4 g