EPC8010

EPC
65-EPC8010
EPC8010

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Modelo ECAD:
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En existencias: 2.718

Existencias:
2.718 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,84 € 2,84 €
1,84 € 18,40 €
1,28 € 128,00 €
1,03 € 515,00 €
1,01 € 1.010,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
0,869 € 2.172,50 €
0,85 € 4.250,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-6
N-Channel
1 Channel
100 V
4 A
160 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
360 pC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Single
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso unitario: 3,100 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.