EPC8009

EPC
65-EPC8009
EPC8009

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 2.500

Existencias:
2.500 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
3,96 € 3,96 €
2,62 € 26,20 €
1,86 € 186,00 €
1,73 € 865,00 €
1,63 € 1.630,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
1,47 € 3.675,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-6
N-Channel
1 Channel
65 V
4 A
130 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
370 pC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso unitario: 3,100 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99