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EPC2302

Name: EPC EPC2302
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2302
Price: 7.38 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

65-EPC2302

Fabr. N.º:

EPC2302

Fabr.:

EPC

Descripción:

FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

EPC2302 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 15.000

Fecha prevista: 30/09/2026
Plazo de producción de fábrica:: 18

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	7,38 €	7,38 €
	5,02 €	50,20 €
	3,68 €	368,00 €
	3,62 €	1.810,00 €
	3,32 €	3.320,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	3,10 €	9.300,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	133 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.8 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	6 V, - 4 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	23 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Marca:	EPC
Configuración:	Single
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	31,300 mg

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Hoja de datos

EPC2302 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2302 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is engineered for high-frequency DC-DC applications to/from 40V to 60V and 48V BLDC motor drives. This eGaN^® FET features 1.8mΩ maximum drain-source on resistance R_DS(on) and 100V drain-source breakdown voltage (continuous) V_DS in a low inductance 3mm x 5mm QFN package. The package has side-wettable flanks and an exposed top for excellent thermal management. The thermal resistance to the case top is ~0.2°C/W, offering excellent thermal behavior and easy cooling. The EPC2302 enhancement-mode power transistor from EPC enables efficient operation in many topologies while improving efficiency and saving space.