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MMFTP6312D

Name: Diotec Semiconductor MMFTP6312D
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP6312D
Price: 0.38 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

637-MMFTP6312D

Fabr. N.º:

MMFTP6312D

Fabr.:

Diotec Semiconductor

Descripción:

MOSFET MOSFET, SOT-26, -20V, -2.3A, 150C, P

Hoja de datos:

MMFTP6312D Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,387 €	0,39 €
	0,276 €	2,76 €
	0,193 €	19,30 €
	0,169 €	84,50 €
	0,157 €	157,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,116 €	348,00 €
	0,086 €	774,00 €
	0,084 €	2.016,00 €
	0,065 €	2.925,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-26-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.3 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	115 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.5 V
Qg (carga de compuertas):	4.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	960 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	13 ns
Serie:	MMFTN/P
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	18 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns

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Hoja de datos

MMFTP6312D Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET

Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET offers fast switching times in a SOT-26 (SOT-457) package. The MMFTP6312D MOSFET features a 20V maximum drain-source voltage, 0.70W to 0.96W maximum power dissipation range, and a 2.3A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.