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DI115N06PQ

Name: Diotec Semiconductor DI115N06PQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI115N06PQ
Price: 1.71 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

637-DI115N06PQ

Fabr. N.º:

DI115N06PQ

Fabr.:

Diotec Semiconductor

Descripción:

MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

DI115N06PQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,71 €	1,71 €
	1,34 €	13,40 €
	0,801 €	80,10 €
	0,793 €	396,50 €
	0,768 €	768,00 €
	0,679 €	1.697,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,42 €	2.100,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TDSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	115 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	78.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	78.9 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	62.1 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	44 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	25 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	26 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.