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DI105N04PQ-AQ

Name: Diotec Semiconductor DI105N04PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI105N04PQ-AQ
Price: 1.44 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

637-DI105N04PQ-AQ

Fabr. N.º:

DI105N04PQ-AQ

Fabr.:

Diotec Semiconductor

Descripción:

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

Hoja de datos:

DI105N04PQ-AQ Hoja de datos (PDF)

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	1,44 €	1,44 €
	1,12 €	11,20 €
	0,673 €	67,30 €
	0,667 €	333,50 €
	0,646 €	646,00 €
	0,571 €	1.427,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,537 €	2.685,00 €
	0,463 €	4.630,00 €
	0,454 €	11.350,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	105 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.4 V
Qg (carga de compuertas):	23 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	83 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	116 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8.3 ns
Serie:	DI100N
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	28 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Alias de parte #:	N-CHANNEL

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Hoja de datos

DI105N04PQ-AQ Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET is a 40V drain-source voltage (V_DSS) N-channel power MOSFET in a low profile, space-saving TDSON-8 package. It comes with a 105A continuous drain current (I_D) and 83W power dissipation (P_tot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 2.9mΩ typical (V_GS=4.5V I_D=50A). The Diotec Semiconductor DI105N04PQ is ideal for DC/DC converters, power supplies, DC drives, power tools, and synchronous rectifier applications.

Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs are AEC-Q101 qualified and leverage advanced trench technology, which enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge. This results in improved efficiency and reduced power loss. The Diotec Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs also feature low on-state resistance, which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. These characteristics make the MOSFETs ideal for various automotive and industrial applications where reliability and efficiency are paramount.