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DXTN69060CE-7

Name: Diodes Incorporated DXTN69060CE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DXTN69060CE-7
Price: 0.74 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DXTN69060CE-7

Fabr. N.º:

DXTN69060CE-7

Fabr.:

Diodes Incorporated
Diodes Incorporated

Descripción:

Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT223 T&R 1K

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

DXTN69060CE-7 Hoja de datos (PDF)

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	0,748 €	0,75 €
	0,461 €	4,61 €
	0,304 €	30,40 €
	0,239 €	119,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	0,204 €	204,00 €
	0,184 €	368,00 €
	0,163 €	815,00 €
	0,154 €	1.540,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT223-4
Polaridad de transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente del colector DC máxima:	5.5 A
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	60 V
Voltaje colector-base VCBO:	80 V
Voltaje emisor-base VEBO:	7 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	180 mV
Pd (disipación de potencia):	2 W
Producto fT para ganancia de ancho de banda:	200 MHz
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	DXTN69060CE
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diodes Incorporated
Corriente continua del colector:	5.5 A
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	80
Ganancia de corriente DC hFE Máx.:	475
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290075
ECCN:: EAR99

DXTN69060C 60V NPN Ultra-Low VCE(SAT) Transistors

Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN Ultra-Low V_CE(SAT) Transistor features a proprietary structure for achieving ultra-low V_CE(SAT) performance and lower operating temperatures, minimizing thermal management needs and enhancing long-term reliability. The Diodes Incorporated DXTN69060C specifications include a breakdown voltage (BV_CEO) of over 60V, continuous collector current of 5.5A, and a low saturation voltage of less than 45mV at 1A. With a high current R_CE(sat) typical at 24mΩ, hFE characterization up to 6A, 2W power dissipation, and fast switching with short storage time, this transistor is designed for efficient, reliable performance in high-power applications.