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DMP68D1LFB-7B

Name: Diodes Incorporated DMP68D1LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMP68D1LFB-7B
Price: 0.35 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

621-DMP68D1LFB-7B

Fabr. N.º:

DMP68D1LFB-7B

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V X2-DFN1006-3 T&R 10K

Hoja de datos:

DMP68D1LFB-7B Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 1.820

Fecha prevista: 15/07/2026

40.000

20.000

Fecha prevista: 19/08/2026

20.000

Fecha prevista: 18/09/2026
Plazo de producción de fábrica:: 40

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,353 €	0,35 €
	0,23 €	2,30 €
	0,145 €	14,50 €
	0,097 €	48,50 €
	0,082 €	82,00 €
	0,069 €	345,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)
	0,054 €	540,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	X1-DFN1006-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	65 V
Id: corriente de drenaje continuo:	215 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	18 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.1 V
Qg (carga de compuertas):	600 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	30 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	16 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns