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DMN63D8LV-7

Name: Diodes Incorporated DMN63D8LV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN63D8LV-7
Price: 0.21 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DMN63D8LV-7

Fabr. N.º:

DMN63D8LV-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA

Hoja de datos:

DMN63D8LV-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 3.000

Fecha prevista: 12/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 24

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,215 €	0,22 €
	0,134 €	1,34 €
	0,089 €	8,90 €
	0,071 €	35,50 €
	0,064 €	64,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,043 €	129,00 €
	0,04 €	240,00 €
	0,036 €	324,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-563-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	260 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.8 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	800 mV
Qg (carga de compuertas):	870 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	450 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	6.3 ns
Transconductancia delantera: mín.:	80 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3.2 ns
Serie:	DMN63
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	12 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	3.3 ns
Peso unitario:	6 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

DMN63D8LV-7 Hoja de datos (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.