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DMN63D8LDW-13

Name: Diodes Incorporated DMN63D8LDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN63D8LDW-13
Price: 0.22 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DMN63D8LDW-13

Fabr. N.º:

DMN63D8LDW-13

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET

Hoja de datos:

DMN63D8LDW-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,224 €	0,22 €
	0,134 €	1,34 €
	0,083 €	8,30 €
	0,062 €	31,00 €
	0,048 €	48,00 €
	0,042 €	210,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)
	0,03 €	300,00 €
	0,026 €	520,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

DMN63D8LDW-7

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,22 €

Min:

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Fabr.:

Diodes Incorporated

Fabr. N.º:

DMN63D8LDW-7

Descripción:

MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-363-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	260 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.8 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	800 mV
Qg (carga de compuertas):	870 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	400 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	DMN63
Cantidad del paquete de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Peso unitario:	7,500 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

DMN63D8LDW-13 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.