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CDMSJ22013.8-650 SL

Name: Central Semiconductor CDMSJ22013.8-650 SL
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDMSJ220138650SL
Price: 3.75 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

610-CDMSJ220138650SL

Fabr. N.º:

CDMSJ22013.8-650 SL

Fabr.:

Central Semiconductor

Descripción:

MOSFET 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L

Hoja de datos:

CDMSJ22013.8-650 SL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Central Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220FP-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	13.8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	280 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	30 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	35.7 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Central Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	66 ns
Transconductancia delantera: mín.:	13 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	69 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	N-Channel Super Junction Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	171 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	43 ns

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Hoja de datos

CDMSJ22013.8-650 SL Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low R_DS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).