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CMX90A705A6-R701

Name: CML Micro CMX90A705A6-R701
Brand: CML Micro
SKU: 226-CMX90A705A6-R701
Price: 62 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

226-CMX90A705A6-R701

Fabr. N.º:

CMX90A705A6-R701

Fabr.:

CML Micro

Descripción:

Amplificador de RF 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

CMX90A705A6-R701 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	62,00 €	62,00 €
	55,59 €	1.389,75 €
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	51,00 €	5.100,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	CML Micro
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de operación:	27.5 GHz to 31 GHz
Voltaje operativo de suministro:	27.5 V
Ganancia:	17 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	AQFN-12
Tecnología:	GaN
OIP3 - Interceptación de tercer pedido:	42 dBm
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	CML Micro
Pérdida de retorno de entrada:	- 10 dB
Aislamiento dB:	- 43 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Pd (disipación de potencia):	18.8 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Nombre comercial:	SuRF

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Hoja de datos

CMX90A705A6-R701 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8542330000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Reino Unido
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

CMX90A705 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifiers

CML Micro CMX90A705 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifiers are compact two-stage amplifiers that deliver 37.4dBm (5.5W) of power with 16.5dB of gain. The CML Micro CMX90A705 amplifiers are suitable for driving and final stages in satellite communication terminals. The RF ports are matched to 50Ω, with integrated DC blocking capacitors at the input and output. The PCB includes decoupling capacitors for modulated signals like QPSK. The amplifier uses a 0.15µm gate length GaN-on-SiC process and is packaged in a small 4mm x 4mm air-cavity QFN for efficient thermal management.