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AP54RHC506ELT-R

Name: Apogee Semiconductor AP54RHC506ELT-R
Brand: Apogee Semiconductor
SKU: 444-AP54RHC506ELT-R
Price: 85.26 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

444-AP54RHC506ELT-R

Fabr. N.º:

AP54RHC506ELT-R

Fabr.:

Apogee Semiconductor

Descripción:

Transceptores de bus LEO 5-Ch 100Mhz Tranceiver E-Grade SnPb TSSOP14 Tape and Reel

Hoja de datos:

AP54RHC506ELT-R Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	85,26 €	85,26 €
	71,31 €	713,10 €
	65,73 €	1.643,25 €
	64,01 €	6.401,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	63,99 €	15.997,50 €
2.500	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Apogee Semiconductor
Categoría de producto:	Transceptores de bus
RoHS:
REACH - SVHC:
Tipo de salida:	3-State
Familia lógica:	AP54RHC
Tiempo de retraso de propagación:	25 ns
Empaquetado / Estuche:	TSSOP-14
Corriente de salida de bajo nivel:	24 mA
Corriente de salida de alto nivel:	- 24 mA
Tensión del suministro - Mín:	1.65 V
Tensión del suministro - Máx:	5.5 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Apogee Semiconductor
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	5 Channel
Corriente de suministro operativa:	100 mA
Producto:	Transceiver
Tipo de producto:	Bus Transceivers
Serie:	AP54RHC506
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Logic ICs
Nombre comercial:	RelBridge
Peso unitario:	47 mg

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Hoja de datos

AP54RHC506ELT-R Hoja de datos (PDF)

PCN

Test/Quality Data

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

AP54RHC506 Rad-Hard 5-Channel Bus Transceivers

Apogee Semiconductor AP54RHC506 Rad-Hard 5-Channel Bus Transceivers with cold sparing are intended for applications demanding radiation tolerance, such as space and medical imaging. The AP54RHC506 is created in a 180nm CMOS process utilizing proprietary radiation-hardening techniques. These transceivers deliver high resiliency to single-event effects (SEE) and to a total ionizing dose (TID) up to 30krad (Si). The AP54RHC506 transceivers feature a triple-redundant design throughout its entire circuitry, which allows it to be immune to single-event transients (SET) without requiring additional redundant devices.