SSM2212RZ-R7

Analog Devices
584-SSM2212RZ-R7
SSM2212RZ-R7

Fabr.:

Descripción:
Transistores bipolares - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 837

Existencias:
837
Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
2.000
Fecha prevista: 02/04/2026
Plazo de producción de fábrica:
10
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™ †
9,17 € 9,17 €
7,17 € 71,70 €
5,98 € 598,00 €
5,32 € 2.660,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
4,52 € 4.520,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:
SSM2212RZ
Embalaje:
Tube
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
9,17 €
Min:
1

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Transistores bipolares - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Analog Devices Inc.
Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
NPN
Dual
20 mA
40 V
40 V
50 mV
200 MHz
- 40 C
+ 85 C
SSM2212
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Analog Devices
Colector CC/Ganancia base hfe Min: 300 at 1 mA, 200 at 10 uA
Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Peso unitario: 540 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Models

PCN

SPICE Models

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

SSM2212 Dual-Matched NPN Transistor

Analog Devices SSM2212 Dual-Matched NPN Transistors are dual, NPN-matched transistor pairs specifically designed to meet the requirements of ultra-low noise audio systems. With its extremely low input base spreading resistance (rbb' is typically 28Ω) and high current gain (hFE typically exceeds 600 at IC = 1mA), the SSM2212 can achieve outstanding signal-to-noise ratios. The high current gain results in superior performance compared to systems incorporating commercially available monolithic amplifiers.

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