Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

AS6C4008-55BINTR

Name: Alliance Memory AS6C4008-55BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS6C4008-55BINTR
Price: 6.79 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

913-AS6C4008-55BINTR

Fabr. N.º:

AS6C4008-55BINTR

Fabr.:

Alliance Memory

Descripción:

SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM

Hoja de datos:

AS6C4008-55BINTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Alliance Memory AS6C4008-55BINTR

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 2000 Múltiples: 2000

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	6,79 €	13.580,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	SRAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	512 k x 8
Tiempo de acceso:	55 ns
Tipo de interfaz:	Parallel
Tensión del suministro - Máx:	5.5 V
Tensión del suministro - Mín:	2.7 V
Corriente de suministro (máx.):	60 mA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TFBGA-36
Empaquetado:	Reel
Marca:	Alliance Memory
Tipo de memoria:	SDR
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Serie:	AS6C4008
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	Asynchronous

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

AS6C4008-55BINTR Hoja de datos (PDF)

REACH Declaration (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.a

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: Taiwán
País de difusión:: China

El país puede cambiar en el momento del envío.

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.