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AS4C64M4SA-7TCN

Name: Alliance Memory AS4C64M4SA-7TCN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C64M4SA7TCN
Price: 8.14 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

913-AS4C64M4SA7TCN

Fabr. N.º:

AS4C64M4SA-7TCN

Fabr.:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 64M x 4 SDRAM

Hoja de datos:

AS4C64M4SA-7TCN Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	8,14 €	8,14 €
	7,57 €	75,70 €
	7,34 €	183,50 €
	7,16 €	358,00 €
	6,99 €	754,92 €
	6,60 €	1.425,60 €
	6,58 €	3.553,20 €
	6,34 €	6.847,20 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM
Tamaño de memoria:	256 Mbit
Anchura de bus de datos:	4 bit
Frecuencia máxima de reloj:	143 MHz
Empaquetado / Estuche:	TSOP-II-54
Organización:	64 M x 4
Tiempo de acceso:	5.4 ns
Tensión del suministro - Mín:	3 V
Tensión del suministro - Máx:	3.6 V
Temperatura operativa mínima:	0 C
Temperatura operativa máxima:	+ 70 C
Serie:	AS4C64M4SA
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	108
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro (máx.):	55 mA

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Hoja de datos

AS4C64M4SA-7TCN Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320024
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: Taiwán
País de difusión:: Taiwán

El país puede cambiar en el momento del envío.

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.