AS4C1M16S-7TCNTR

Alliance Memory
913-AS4C1M16S-7TCNTR
AS4C1M16S-7TCNTR

Fabr.:

Descripción:
DRAM 16Mb, 3.3V, 143Mhz 1M x 16 SDRAM

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
2,86 € 2.860,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
16 Mbit
16 bit
143 MHz
TSOP-II-50
1 M x 16
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C1M16S-7
Reel
Marca: Alliance Memory
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro (máx.): 70 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542319090
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
Taiwán
País de difusión:
Taiwán
El país puede cambiar en el momento del envío.

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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