AHV85111KNHTR

Allegro MicroSystems
250-AHV85111KNHTR
AHV85111KNHTR

Fabr.:

Descripción:
Controladores de puerta con aislamiento galvánico FULLY INTEGRATED HV ISOLATED GATE DRIVER - BIPLOR OUTPUT

Modelo ECAD:
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En existencias: 1.968

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
4,21 € 4,21 €
3,21 € 32,10 €
2,96 € 74,00 €
2,68 € 268,00 €
2,55 € 637,50 €
2,47 € 1.235,00 €
2,44 € 2.440,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
2,39 € 3.585,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Allegro MicroSystems
Categoría de producto: Controladores de puerta con aislamiento galvánico
AHV85111
SMD/SMT
SMD-12
1 Channel
5 kVrms
- 40 C
+ 150 C
100 ns
9 ns
7 ns
Reel
Cut Tape
Marca: Allegro MicroSystems
Voltaje de entrada - Máx: 13.2 V
Voltaje de entrada - Mín: 10.8 V
Sensibles a la humedad: Yes
Número de salidas: 2 Output
Corriente de suministro operativa: 2 mA
Producto: GaNFET Drivers
Cantidad del paquete de fábrica: 1500
Tensión del suministro - Máx: 13.2 V
Tensión del suministro - Mín: 10.8 V
Tipo: Isolated Gate Driver
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

Energía limpia

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AHV85111 Self-Powered Isolated GaN FET Driver

Allegro MicroSystems AHV85111 Self-Powered Isolated GaN FET Driver is designed to drive GaN FETs in multiple applications and topologies. The AHV85111 integrates an isolated dual positive/negative output bias supply, eliminating the requirement for any external gate drive auxiliary bias supply or high-side bootstrap. The bipolar output rails, with adjustable and regulated positive rail, improve dv/dt immunity, dramatically simplify the system design, and reduce EMI through decreased total common-mode (CM) capacitance.