ALD210808SCL

Name: Advanced Linear Devices ALD210808SCL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD210808SCL
Price: 6.36 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

585-ALD210808SCL

Fabr. N.º:

ALD210808SCL

Fabr.:

Advanced Linear Devices

Descripción:

MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos:

ALD210808SCL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,36 €	318,00 €
	5,14 €	514,00 €
	4,57 €	2.285,00 €
	4,04 €	4.040,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-16
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	10.6 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	25 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	820 mV
Temperatura operativa mínima:	0 C
Temperatura operativa máxima:	+ 70 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EPAD
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Quad
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	ALD210808S
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	4 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	10 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Peso unitario:	666 mg