ALD110914SAL

Name: Advanced Linear Devices ALD110914SAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD110914SAL
Price: 8.14 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

585-ALD110914SAL

Fabr. N.º:

ALD110914SAL

Fabr.:

Advanced Linear Devices

Descripción:

MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

Hoja de datos:

ALD110914SAL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 32

Existencias:: 32 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Las cantidades mayores que 32 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,14 €	8,14 €
	5,41 €	54,10 €
	4,38 €	438,00 €
	3,89 €	1.945,00 €
	3,45 €	3.450,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	10 V
Id: corriente de drenaje continuo:	12 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	500 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.38 V
Temperatura operativa mínima:	0 C
Temperatura operativa máxima:	+ 70 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	ALD110914S
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	10 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Peso unitario:	74 mg