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IPW60R024CFD7XKSA1

Name: Infineon IPW60R024CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R024CFD7XKS
Price: 11.52 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPW60R024CFD7XKS

Fabr. N.º:

IPW60R024CFD7XKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET HIGH POWER_NEW

Hoja de datos:

IPW60R024CFD7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 240

Fecha prevista: 16/02/2026
Plazo de producción de fábrica:: 52

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	11,52 €	11,52 €
	6,92 €	173,00 €
	6,02 €	602,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	77 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	24 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	183 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	320 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IPW60R024CFD7
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	IPW60R024CFD7 SP002621050
Peso unitario:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.